puritech

· 불순물 : 영향

· 산소 : 금을 제외한 모든 금속 표면에 흡착, 수소와 반응하여 수분 생성

· 수분 : 금속 표면에서 흡착력 크다. 실리콘 산화막의 배선에 VOID 혹은 산 모양의 결정 생성

· 수소 : 실리콘 웨이퍼에 침투하여 Boron 중화하여 웨이퍼 특성변화, 격자 내의 수소가 가열에 의하여 빠져 나옴으로서 격자 변형, 산소와 반응하여 수분 생성

· 탄화수소류 : Dry Process에 의해 중합반응 생성, 알루미늄 배선의 돌출(Overhang)의 원인 제공

· 질소 : PVD ---1) N₂ in AL (Electromigration Failures) / 2) N₂ in TI (Film Property Change)

· 금속이온, 먼지입자 : 중금속의 오염은 P-N 접합의 Leak 전류의 원인이 됨. 자기적 Short를 일으키는 원인 제공

고순도 및 초고순도 가스의 생산 및 공급을 위하여 여러 가지 형태의 가스정제기가 사용되고 있다. 특히, 반도체 공정에서 가스 불순물의 영향은 치명적이다. 256mb 이상으로 고집적화되고 있는 반도체 제작을 위해서는 초고순도(99.999999% 이상)의 가스 사용이 필수적이다. 따라서 가스 정제능력이 탁월하고 대용량뿐만 아니라 장비에 직접 사용되는 P.O.U(Point of Use)방식도 가능한 Getter형 가스 정제기의 사용이 점점 확산되고 있다.

Gas Purifier는 정제를 목적으로 하고 있으며, 정제원리 및 사용환경(온도 및 압력)에 따른 구분이 가능하다. 가장 일반적으로 Gas Purifier는 정제원리에 따라서 다음과 같이 구분할 수 있다.

(1) Catalyst Type

1. 작동원리

- 질소, 산소, 불활성기체의 정제에 사용되고, CH₄ 4와 H₂ 20와 CO₂ 로, O₂ 2와 CO는 H₂ 0와 CO₂ 로 촉매반응을 일으킨 후 흡착한다.

2. 장점 : 대용량 사용가능, 운전비용이 저렴하다.

3. 단점 : N₂ 와 같은 불순물은 제거가 불가능하다.

(2) Line Purifie

상온에서 작동되는 최근 개발된 정제기로 반도체 공정상에 특수가스 정제로서 많이 사용되고 있다. 전체적으로 정제능력이 있어서 선택적으로 불순물의 제거가 가능하고 새로운 불순물을 생성하는 등 문제점을 포함하고 있지만 사용상의 편이에 따라 사용량이 증가하고 있다.

➀ Ni Catalyst

1. 용도 : 아르곤 용접에 사용되는 가스의 정제

2. 장점 : 상온 작동되므로 가열장치의 불필요, 재생이 가능하다.(수소 필요)

3. 단점 : 수명이 짧으며 Bulk Gas에 대해서만 정제가 가능하고, CH₄와 N₂ 와 같은 불순물의 제거가 불가능하다.

➁ Resin Technology

1. 용도 : 반도체 공정 등에 사용되는 특수가스 사용 공정에서 수분 등의 제거

2. 장점 : 상온 작동되므로 가열장치의 불필요, 수명이 비교적 길다.

3. 단점 : 수소 및 메탄의 생성에 따라서 별도의 제거장치 필요. N₂ 의 불순물의 제거가 불가능하다. 발열반응에 따른 발생열의 처리가 필요

가스퓨리파이어